内存时序简介
内存时序是描述内存条性能的一种参数，一般存储在内存条的SPD中。
一般数字 A-B-C-D 分别对应的参数是 CL-tRCD-tRP-tRAS ，它们的含义依次为：CAS Latency(简称CL值)内存CAS延迟时间，它是内存的重要参数之一，某些牌子的内存会把CL值印在内存条的标签上; RAS-to-CAS Delay(tRCD)，内存行地址传输到列地址的延迟时间; RAS Precharge Delay(tRP)，内存行地址选通脉冲预充电时间; Row Active Delay(tRAS)，内存行地址选通延迟。这是玩家最关注的4项时序调节，在大部分主板的BIOS中可以设定，内存模组厂商也有计划的推出了低于JEDEC认证标准的低延迟型超频内存模组，在同样频率设定下，最低 2-2-2-5 这种序列时序的内存模组确实能够带来比 3-4-4-8 更高的内存性能，幅度在3至5个百分点。
内存时序参数简介
存取时序
上面的表格展示的是一次普通的DRAM存储周期。首先，行地址信息会被送到DRAM中，经历了tRCD这段时间之后，行地址已经进行了 选通 。由于现在的存储器一般是SDRAM，我们可以一次多多个列提取信息，而每一次读取需要tCAS(R)这么多的时间。当列操作结束时，DRAM需要tRP这么多的时间进行预充电，以便为下一次存取操作做准备。而一般来说，tRAS tRCD + tCAS + 2，这是因为需要留足够的时间给存取的数据去 流动 。经过这样的了解，我们可以通俗的理解这几个参数：
tCAS：列寻址所需要的时钟周期(周期的数量表示延迟的长短)
tRCD：行寻址和列寻址时钟周期的差值
tRP：在下一个存储周期到来前，预充电需要的时钟周期
tRAS：对某行的数据进行存储时，从操作开始到寻址结束需要的总时间周期
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